HS26P10 是采用低耗高速 CMOS 工艺制造的 8 位单片机，它内部包含一个 2K*16-bit 的一次性 可编程只读电存储器(OTP-ROM)。
2. 特征
除了跳转指令 2 个指令周期外，其他指令都是一个指令周期
2K*16 位片内 ROM
可直接、间接寻址
3 个 8 位定时器：
TC0：外部事件计数器/PWM0/ Buzzer 输出。
TC1：外部事件计数器/PWM1/ Buzzer 输出。
TC2：外部事件计数器/PWM2/ Buzzer 输出
内置上电复位，掉电复位
内置上电复位时间 PWRT 和振荡器起振时间 OSCT
内置可预分频 WDT
四种振荡模式
内置高速振荡器 16MHz
内置低速振荡器 32K
外置高速晶体振荡器 4MHz~16MHz
外置低速晶体振荡器 32.768KHz
一个安全位（代码寄存器中）保护程序不被读出
128*8 bit SRAM
3 组标准双向 I/O 端口
8 级用于子程序嵌套的堆栈
6 种可用中断
4 个内部中断：TC0、TC1、TC2、ADC
2 个外部中断：INT0，INT1
ADC
5个外部ADC输入
1个内部电池检测
内部AD参考电压（VDD、4V、3V、2V）